ITO蚀刻废液的处理具体特点:第1、印制板厂的废蚀刻液不必再由外单位拉走,在厂内就可直接铜回收和废蚀刻液的循环使用。实现了清洁生产,南通TIO显影液,不会对环境造成任何污染,符合国家法律政策。第二、印制板厂蚀刻机的氨洗水,也同时获得了再生回用,或可实现无污染排放。第三、很大程度减轻了印制板厂废水处理站的运行负荷,南通TIO显影液,降低运行成本。第四、变废为宝,为企业带来良好的经济效益。第五、自主研制、开发、制造、安装、调试,全套设备采用PLC数字控制,易操作管理。第六、落实了国家《清洁生产促进法》,树立科学发展观,创造人和自然的和谐发展,实现“资源再生,循环经济”的可持续经济发展目标,南通TIO显影液,有着非常重要的意义。ITO显影液是半导体、显示面板、太阳能电池制作过程中关键的原材料之一。南通TIO显影液
ITO蚀刻液影响蚀刻速率的因素:酸性氯化铜蚀刻液。Cl-含量的影响。溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系,当盐酸浓度升高时,蚀刻时间减少。在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3,并且能够提高溶铜量。但是,盐酸浓度不可超过6N,高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀,并且随着酸浓度的增加,氯化铜的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时,生成的Cu2Cl2不易溶于水,则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜,这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-,从铜表面上溶解下来,从而提高了蚀刻速率。南通TIO显影液ITO彩色显影剂有CD-2、CD-3、CD-4等。
影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:溶液pH值的影响。蚀刻液的pH值应保持在8.0~8.8之间,当pH值降到8.0以下时,一方面对金属抗蚀层不利;另一方面,蚀刻液中的铜不能被完全络合成铜氨络离子,溶液要出现沉淀,并在槽底形成泥状沉淀,这些泥状沉淀能在加热器上结成硬皮,可能损坏加热器,还会堵塞泵和喷嘴,给蚀刻造成困难。如果溶液pH值过高,蚀刻液中氨过饱和,游离氨释放到大气中,导致环境污染;同时,溶液的pH值增大也会增大侧蚀的程度,从而影响蚀刻的精度。
影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:1、Cu2+离子浓度的影响:Cu2+是氧化剂,所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明:在0~82g/L时,蚀刻时间长;在82~120g/L时,蚀刻速率较低,且溶液控制困难;在135~165g/L时,蚀刻速率高且溶液稳定;在165~225g/L时,溶液不稳定,趋向于产生沉淀。2、氯化铵含量的影响:通过蚀刻再生的化学反应可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蚀刻速率就会降低,以致失去蚀刻能力。所以,氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行,要不断补加氯化铵。ITO蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性。
温度对各种ITO蚀刻液速率的影响:1.碱性氯化铜蚀刻液。蚀刻速率与温度有很大关系,蚀刻速率随着温度的升高而加快。蚀刻液温度低于40℃,蚀刻速率很慢,而蚀刻速率过慢会增大侧蚀量,影响蚀刻质量;温度高于60℃,蚀刻速率明显增大,但NH3的挥发量也很大程度增加,导致污染环境并使蚀刻液中化学组分比例失调。故温度一般控制在45~55℃为宜。2.酸性氯化铜蚀刻液。随着温度的升高,蚀刻速率加快,但是温度也不宜过高,一般控制在45~55℃范围内。温度太高会引起HCl过多地挥发,造成溶液组分比例失调。另外,如果蚀刻液温度过高,某些抗蚀层会被损坏。ITO蚀刻液一般分为酸性蚀刻液和碱性蚀刻液两种。南通TIO显影液
ITO酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。南通TIO显影液
ITO蚀刻液由氟化铵、草酸、硫酸钠、氢氟酸、硫酸、硫酸铵、甘油、水组成。1、氟化铵:分子式为NH4F,白色晶体,易潮解,易溶于水和甲醇,较难溶于乙醇,能升华,在蚀刻液中起腐蚀作用,一般选用工业产品。2、草酸:在蚀刻液中作还原剂使用,一般选用工业产品。3、硫酸钠:在蚀刻液中作为填充剂使用,一般选用工业产品。4、氢氟酸:即氟化氢的水溶液,为无色液体,能在空气中发烟,有强烈腐蚀性和毒性,能侵蚀玻璃,需贮存于铅制、蜡制或塑料容器中,可作为蚀刻玻璃的主要原料,一般选用工业品。5、硫酸:纯品为无色油状液体,含杂质时呈黄、棕等色。用水稀释时,应将浓硫酸慢慢注入水中,并随时搅和,而不能将水倒入浓硫酸中,以防浓硫酸飞溅而引发事故,可作为腐蚀助剂,一般选用工业品。6、硫酸铵:一般选用工业品。7、甘油:一般选用工业品。8、水:自来水。南通TIO显影液
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