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ITO靶材生产过程包括金属提纯和靶材制造两个主要环节。因高纯金属原料的品质影响靶材的导电性能等性状，对成膜的质量有较大影响，且靶材种类繁多，客户需求非标，定制属性明显。故而金属提纯环节技术壁垒及附加值均较高。其中铟属于稀散金属，因其具有可塑性、延展性、光渗透性和导电性等特点，而以化合物、合金的形式被广泛应用。目前，铟的主要应用领域是平板显示领域，包括ITO靶材及新兴的铟镓锌氧化物（IGZO）靶材，江西陶瓷靶材多少钱，占全球铟消费量的80%；其次是半导体领域、焊料和合金领域、太阳能发电领域等。生产ITO靶材对于铟的纯度要求一般在4N5及以上，生产化合物半导体材料对于铟的纯度要求则更高，江西陶瓷靶材多少钱，江西陶瓷靶材多少钱，一般在6N及以上。如果化合物的形成速率大于化合物被剥离的速率，则化合物覆盖面积增加。江西陶瓷靶材多少钱

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。

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IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互掺杂得到，是一种透明金属氧化物半导体材料。IGZO为n型半导体材料，存在3.5 eV左右的带隙，电子迁移率比非晶硅高1~2个数量级，其比较大特点是在非晶状态下依然具有较高的电子迁移率。由于没有晶界的影响，非晶结构材料比多晶材料有更好的均匀性，对于大面积制备有巨大的优势。正因为IGZO TFT具有高迁移率、非晶沟道结构、全透明和低温制备这四大优势，使得IGZO作为TFT沟道材料比多晶硅和非晶硅更符合显示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未来发展趋势。

背板材料：无氧铜(OFC)–目前经常使用的作背板的材料。因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。如果保养适当，无氧铜背板可以重复使用10次甚至更多。钼(Mo)–在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温贴合的条件下，无氧铜容易被氧化和发生翘曲，所以会使用金属钼为背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背板材料。不锈钢管(SST)–目前**常使用不锈钢管作为旋转靶材的背管，因为不锈钢管具有良好的强度和导热性而且非常经济。

背板重复使用大部分背板可以重复使用，尤其是采用金属铟进行贴合的比较容易进行清洁和重新使用。如果是采用其他贴合剂（包括环氧树脂）则可能需要采用机械处理的方式对背板表面处理后才能重复使用。当我们收到用户提供的已使用过的背板后，我们会首先进行卸靶处理（如适用）并且对背板进行完全检查，检查的重点包括背板的平整度，完整性及密封性等。我们会通知用户对背板的检查结果，如我们发现有需要维修的地方会书面通知客户并提供维修报价。 ITO靶材的制备方法主要有4种，分别为热压法、热等静压法、常温烧结法、冷等静压法。冷等静压优势突出。

从整体上看，ITO在光电综合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的优势或将为靶材带来降本空间。在相关实验中利用AZO靶材和ITO靶材制备了3组实验薄膜（共6份样品）。实验中主要从光学性能和电学性能上对AZO薄膜和ITO薄膜进行了对比。在特定情况下AZO靶材与ITO靶材电学性能差距缩小。根据比较终实验数据来看，AZO薄膜和ITO薄膜的方块电阻以及电阻率随着薄膜的厚度增加而降低，并且随着薄膜厚度的增加，AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。当AZO薄膜厚度为640nm时，方块电阻以及电阻率为32Ω•sq-1和20.48*10-4Ω•cm。AZO薄膜光学性能优于ITO薄膜。ITO薄膜的光学性能随着厚度的增加明显变差，但是对于AZO薄膜，透射率并没有随着厚度的增加而明显下降，在厚度为395nm时，高透射率光谱范围比较宽，可见光区平均透射率比较高，光学总体性能比较好，可充当透射率要求在85%以上的宽光谱透明导电薄膜的光学器件透明导电薄膜的种类很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比较好。吉林氧化锌陶瓷靶材价格咨询

在显示面板和触控屏两个产品生产环节需要使用靶材，主要用于ITO玻璃及触控屏电极，用量比较大的是ITO靶材。江西陶瓷靶材多少钱

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