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超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于PVD技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。一般来说，溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的主要部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜；由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在特定的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。目前制备太阳能电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等。北京溅射陶瓷靶材推荐厂家
陶瓷靶材的种类及各自应用按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等.半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;显示陶瓷靶材ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO,主要应用于电致发光薄膜发光层,电致发光薄膜绝缘层,磁盘等;磁记录陶瓷靶材Si3N4,主要应用于磁头,磁光盘(MO)保护;光记录陶瓷耙材Si3N4,主要应用于光盘保护膜;超导陶瓷靶材YbaCuO,BiSrCaCuO,主要应用于超导薄膜;巨磁电阻陶瓷靶材,主要应用于薄膜太阳能电池窗;其它应用靶材In₂O₃，LiNbO₃，BaTiO₃,PZT.ZnO，主要应用于太阳能电池，压电薄膜按化学组成,可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已生产应用.高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景.中国台湾光伏行业陶瓷靶材钙钛矿太阳电池在短短数十年间不断刷新转换效率。
氧化铌由于其独特的物理和化学性质而被广地应用于现代技术的许多领域。例如，利用其较强的紫外线吸收能力，可将其用作紫外敏感材料的保护膜；利用其薄膜折射率较高的特性，可与SiO2等配合可制备具有不同折射率的薄膜。由于这些明显的优点，氧化铌靶材被广地应用于太阳能电池、液晶显示器、离子显示器、收集触屏、光学玻璃、气体传感器等众多领域。随着科技的不断发展以及应用领域的不断延伸，氧化铌靶材的需求量也不断增大。目前，市场上使用的多的是氧化铌平面靶材，大都采用真空热压法来制备。但是采用该方法，氧化铌靶坯厚度较大，加工过程中需要通过机加工剖片工艺加工达到所需的厚度要求。
靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的主要部分，涉及高纯金属、晶粒取向调控。在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。（2）背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板需要具备良好的导电、导热性能。透明导电薄膜的种类很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比较好，ITO具有高透光率，低电阻率。
靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射，可以起到清洁靶材表面的作用。靶材进行预溅射时建议慢慢加大溅射功率，陶瓷类靶材的功率加大速率建议为1.5W小时/平方厘米。金属类靶材的预溅射速度可以比陶瓷靶材快，一个合理的功率加大速率为1.5W小时/平方厘米。在进行预溅射的同时需要检查靶材起弧状况，预溅射时间一般为10分钟左右。如没有起弧现象，继续提升溅射功率到设定功率。根据经验，一般应确保冷却水出水口的水温应低于35摄氏度，但非常重要的是确保冷却水的循环系统能有效工作，通过冷却水的快速循环带走热量，是确保能以较高功率连续溅射的一项重要保障。靶材安装注意事项靶材安装过程中非常重要的是一定要确保在靶材和溅射腔体冷却壁之间建立很好的导热连接。上海智能玻璃陶瓷靶材售价
陶瓷靶材和金属靶材各自优缺点。北京溅射陶瓷靶材推荐厂家
IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互掺杂得到，是一种透明金属氧化物半导体材料。IGZO为n型半导体材料，存在3.5 eV左右的带隙，电子迁移率比非晶硅高1~2个数量级，其比较大特点是在非晶状态下依然具有较高的电子迁移率。由于没有晶界的影响，非晶结构材料比多晶材料有更好的均匀性，对于大面积制备有巨大的优势。正因为IGZO TFT具有高迁移率、非晶沟道结构、全透明和低温制备这四大优势，使得IGZO作为TFT沟道材料比多晶硅和非晶硅更符合显示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未来发展趋势。北京溅射陶瓷靶材推荐厂家
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