不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。通过控制熔炼温度和铸造速度,可以获得具有均匀微观结构和优良物理特性的靶材。青海氧化物靶材市场价
纯度:一般在99.99%,可做4N5。纯度是影响材料电导性、磁性以及化学稳定性的重要因素。晶体结构: 通常为面心立方晶格(FCC)。有利于提供良好的机械性能和高度的热稳定性。热导率: 一般在90-100 W/mK左右。高热导率有利于在溅射过程中的热量快速分散,避免材料过热。电导率: 大约为14.3 × 10^6 S/m。这使得镍靶材在电子行业,特别是在制造导电膜层方面极具价值。磁性: 铁磁性材料,具有特定的磁性特征,其居里温度约为360°C。这一特性使得镍在磁性材料的制备中扮演着重要角色。硬度和延展性: 适中的硬度和良好的延展性。硬度保证了其在制造过程中的耐用性,而良好的延展性则使得其能够被加工成各种所需形状。表面光洁度: 表面光洁度非常高,通常可以达到镜面效果。高光洁度的表面有助于实现均匀的膜层沉积。广西AZO靶材市场价靶材由“靶坯”和“背板”组成。
靶坯是高速离子束流轰击的目标材料,属于溅射靶材的**部分,涉及高纯金属、晶粒取向调控。在溅射镀膜过程中,靶坯被离子撞击后,其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。背板主要起到固定溅射靶材的作用,涉及焊接工艺。 按材质分类,靶材可分为常规金属靶材,贵金属靶材,稀土金属靶材,非金属靶材,合金溅射靶材,陶瓷溅射靶材等。按外形尺寸分,靶材可分为圆柱形、长方形、正方形板靶和管靶。靶材的制备工艺按金属、非金属类区别,制备过程中除严格控制成分、尺寸之外,对材料的纯度、热度处理条件及成型加工方法等亦需严格控制。靶材的制备方法主要有熔炼法与粉末冶金法。
2. 制备方法a. 粉末冶金法 这是制备钨靶材**传统也**常用的方法。首先将钨粉进行压制成型,然后在氢气氛围中高温烧结。这个过程可以产生高纯度、高密度的钨靶材,但其制品往往需要后续的加工以满足特定的尺寸和形状要求。b. 溅射靶材制备 溅射是一种在真空中利用离子轰击的方法,将钨材料沉积到一个基底上形成薄膜。这种方法对于制备高纯度、精细结构的钨薄膜靶材特别有效。适用于需要非常平整和均匀表面的应用,如半导体制造。c. 热等静压技术 热等静压(HIP)技术通过同时施加高温和高压来对钨材料进行致密化处理。此方法能够消除粉末冶金过程中可能产生的气孔和缺陷,从而生产出密度更高、均匀性更好的钨靶材。d. 熔融法 使用高温将钨完全熔化,然后通过铸造或其他成型工艺制成靶材。虽然这种方法可以生产出尺寸较大的钨靶材,但控制其纯度和微观结构比较困难。e. 化学气相沉积(CVD) CVD是一种在高温下将气态前驱体分解,将钨沉积在基材上的方法。此技术主要用于制备特定微观结构和纯度要求高的薄膜材料。并且背板需要具备导热导电性。
三、靶材的制备方法靶材的制备方法有多种,包括物***相沉积、溅射、电子束蒸发、化学气相沉积、磁控溅射等。通常需要根据实验的需要,选择合适的制备方法和材料。四、靶材的应用领域靶材在各个领域中都有重要应用,以下是其中的几个方面:1.物理学和核物理学:靶材在核物理学实验中广泛应用,如离子束慢化、中子束散裂等。2.医学:靶材和放射性同位素结合应用于放射***和放射性示踪。3.电子学:靶材在电子显微技术、集成电路和光电子器件制备中应用***。4.材料科学和工程学:靶材在材料表征、薄膜制备、涂层技术等方面有广泛应用。总之,靶材作为产生粒子束的重要材料,在各个研究领域中都有广泛的应用前景。用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。甘肃功能性靶材售价
靶材,也称为溅射靶材,是高速荷能粒子轰击的目标材料。青海氧化物靶材市场价
靶材是用于物理或化学蒸发过程的源材料,在工业和科研领域中具有重要应用。不同种类的靶材具有不同的特性和适用范围,如金属靶材适用于电子和光学薄膜的制备,氧化物靶材在制造透明导电薄膜和光电器件中扮演重要角色,陶瓷靶材适用于制造耐磨薄膜和保护涂层,半导体靶材用于制造微电子器件。在选择和使用靶材时,需要考虑物理和化学属性、成本效益、与应用领域的兼容性等多方面因素,以确保最终产品的性能和质量。深入理解不同靶材的特性,对于满足特定应用需求至关重要青海氧化物靶材市场价
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